|
При замкнутых ключах
 ( ) электрическая схема замещения
учитывает индуктивное сопротивление дифференциального рассеяния
с учетом демпфирующего действия вторичных контуров ротора.
Расчетное выражение для индуктивного сопротивления
дифференциального рассеяния в общем виде сохраняется (111),
однако изменяется формула для вычисления коэффициента
 (113)
где
 — коэффициент демпфирования «n»-ой
гармонической поля статора, определяемый (рис. 2.10) из
уравнения 
(114)
Отношение индуктивных параметров
 и
 можно
заменить
 (115)
равным ему
отношением объемных плотностей энергии магнитного поля,
создаваемой в зазоре рассматриваемой высшей гармонической поля:
 и
 . При этом
представляет собой объемную плотность
энергии взаимоиндукции с ротором (рис. 2.11),
a  – объемную плотность той части
запасенной в зазоре высшей гармонической поля магнитной энергии,
которая имеет смысл энергии рассеяния по отношению ко вторичному
контуру. Полагая последний выполненным в виде беличьей клетки,
соседние стержни которой смещены относительно друг друга на
угол
 и имеют скос
 на расчетной длине
(угол скоса
 ),
среднее значение индукции  для «n»-й
гармонической можно выразить через амплитудное ее значение из
уравнения (рис. 2.11):
рис.2.11
|
